1. 氧化层硅:标准SiO2层厚度300nm,500nm,其它厚度可根据客户要求定制
2. 氮化硅片:表面100nm厚度氮化硅SiN层,其他厚度可据客户要求定制
3 SOI(Silicon-on-insulator)绝缘硅(顶层单晶硅-绝缘氧化埋层-硅衬底)
可采用键合工艺也可采用注氧工艺,同时可接受特殊工艺的加工服务,最大的满足客户的要求。
质量保障:
-- 生产工艺安全按照SEMI标准
-- 每步工艺有严格监控
-- 产品质量属于军品级别
-- 批量生产
-- 供货周期快速,仅需一周
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